“數據爆發”時代存儲市場加速發展 國內存儲產業正在追趕

每經記者｜郭榮村    每經實習記者｜安宇飛    每經編輯｜陳俊杰    

9月14日，2021年中國閃存市場峰會（以下簡稱峰會）在深圳召開，大會由國內存儲市場資訊平臺CFM閃存市場主辦。

CFM閃存市場總經理邰煒表示，“因為疫情，過去20多個月以來我們的生活方式發生了很多的變化。在線上經濟，包括遠程辦公、網上教育等需求下，全球NAND Flash的總供應量將在今年同比增長39%，DRAM將同比增長21%”。

在行業加速發展的背景下，中國半導體存儲產業也在快速發展。在峰會上發布的《2021年全球存儲市場趨勢白皮書》（以下簡稱《白皮書》）顯示，中國半導體存儲產業起步較晚，目前已突破1%的全球市場占有率，并在技術上縮小了與國際原廠的差距，實現了主流技術的量產。

存儲市場加速發展

存儲器，又稱為存儲芯片，是半導體行業的支柱型產業之一。

太平洋證券一份研報援引Gartner數據稱，2020年全球存儲器收入增加135億美元（相比2019年），占2020年整個半導體市場收入增長的44%。《白皮書》指出，存儲器約占整個半導體行業產值的27%。

據了解，目前存儲器主要分NAND Flash和DRAM兩種。其中NAND Flash又被稱為“閃存”，是一種非易失性存儲芯片，斷電不會丟失數據，具備讀寫功能，可以支持多次擦除和重復編程。而DRAM指的是動態隨機存取存儲器，速度比NAND Flash更快，但斷電會丟失數據，主要用于存儲短時間使用的程序。

而疫情的到來，給存儲器行業摁下了“加速鍵”。《白皮書》指出，疫情下人們轉向于居家辦公和網上學習等，增加了服務器以及PC需求，存儲器也成為2020年表現最好的領域。

簡單而言，辦公、教學等領域的線上轉型，以及AI、5G、物聯網等新技術的發展，使得全球數據量出現“爆炸性增長”。而很多數據都需要存儲，從而加速了存儲行業的發展。

全球半導體儲存龍頭企業之一美光科技有限公司（以下簡稱美光）的集團副總裁Dinesh Bahal在峰會上提到了“Decade in Days”（幾日即幾十年）。他認為一場巨大的數字化轉型已經發生，涵蓋了人們工作、學習、娛樂等各個方面，人們期待世界會在10年內發生的（數字化）變革，甚至在數周內就發生了。

盡管各領域在疫情下的“數字化轉型”帶動了存儲市場需求的增長，但在全球缺芯的局面下，存儲市場也出現了供需失衡。

邰煒表示，整體存儲市場已經由供不應求轉變成結構性的供需失衡。由晶圓代工產能不足引發的缺芯浪潮逐漸蔓延到全產業鏈，目前最缺的PMIC（電源管理芯片）短期難以緩解，主控芯片供應有所改善。缺貨引發囤貨，再加上手機上半年為搶市場提前擴容，PC、服務器的需求旺盛，使得存儲器出現漲價。

據CFM閃存市場數據，今年前兩個季度存儲原廠（指存儲器的生產制造商）DRAM和NAND Flash價格快速上漲。從1月份到8月份，整個DRAM和NAND Flash的綜合價格指數分別上漲了18.4%和12.4%。

不過，邰煒認為，四季度除了企業級SSD供應依然緊張，其他各類產品的供應都將快速增加，三季度很有可能是本輪價格的分水嶺。

根據CFM閃存市場數據分析，從2020年到2025年，手機市場、PC市場、數據中心市場對存儲器的需求將分別以31%、22%、39%的復合增長率增長。

國內存儲產業仍在追趕

目前全球存儲市場的競爭格局如何？

華泰證券一份研報指出，根據Gartner數據，2020年全球存儲器市場規模達到1245.4億美元,目前韓、美、日廠商幾乎壟斷全球存儲器市場，我國存儲芯片幾乎完全依靠進口。但長江存儲、長鑫存儲技術有限公司(以下簡稱長鑫存儲)等存儲項目正穩步推進。

據CFM閃存市場統計，2020年全年三星NAND Flash的營收在全球各存儲原廠NAND Flash總營收中的占比高達33%，鎧俠占比19%，西部數據占15%，美光和SK海力士各占11%，英特爾占10%。DRAM方面呈“三足鼎立”格局，三星營收占比高達43%，SK海力士和美光分別占比29%和23%。雖然國內的長江存儲和長鑫存儲起步較晚，但在2020年三季度紛紛突破1%的市場份額。

從市場需求來看，中國已成為全球存儲器最重要的需求市場之一。CFM閃存市場數據顯示，在中國的DRAM和NAND Flash銷售規模占據全球30%以上市場份額。

而中國的存儲原廠正在技術層面加速追趕。據了解，NAND Flash在發展過程中逐漸由平面結構升級為三維架構，通過工藝技術的提升，可以逐漸增加存儲單元的層數，實現在單位面積下更高的存儲容量。

據英特爾NPSG亞太區銷售總監倪錦峰介紹，英特爾的144層3D NAND已于2020年大規模量產。

《白皮書》指出，中國半導體存儲產業起步較晚，且初期發展并不均衡，更偏向于封測、模組以及國外品牌代理銷售。長江存儲和長鑫存儲2016年成立，分別補上了中國在NAND Flash和DRAM市場核心供應環節的空白。長江存儲128層3D NAND Flash、長鑫存儲DDR4/LPDDR4X等產品的量產，已經縮小了與業內先進水平的差距。

但《白皮書》同時表示，中國存儲原廠現有產能規模仍然較小，不足以支撐起龐大的市場需求。中國存儲發展仍然面臨難題，無論是技術還是產能都需要巨額的投資，但目前中國的存儲投資力度與國外廠商相比還有很大差距，如三星每年投入超200億美元。動輒百億級別的投資，僅依靠還在起步階段的企業自身造血遠遠不夠。

封面圖片來源：攝圖網