巡禮 2020｜中芯國際：一部新世紀中國芯片制造奮斗史

每經記者｜朱成祥    每經編輯｜梁梟    

在2020年的A股市場，中芯國際（SH688981）是最受矚目的上市公司之一。當年6月1日，中芯國際IPO申請獲受理，僅一個月時間便注冊生效，7月16日成功登陸科創板。中芯國際發行價27.46元/股，上市當日以95元/股價格開盤，市值突破6000億元。

在資本市場，中芯國際備受追捧，一時風頭無兩。在技術層面，中芯國際于2019年量產14納米FinFET工藝，成為全球少數掌握FinFET技術的晶圓制造廠商。

坐擁資本市場支持，技術上又有聯席CEO梁孟松坐鎮，中芯國際雄心勃勃開始對行業領頭羊臺積電、三星發起“跳代”式追趕。彼時，在梁孟松帶領下，中芯國際著手研發的N+1、N+2被業內認為接近于8納米、7納米。在格羅方德、聯電放棄攻堅7納米后，中芯國際幾乎成為晶圓代工領域先進制程的唯一追趕者。

由于受到美國無理打壓，中芯國際先進工藝的研發、量產遇到困難，公司公告中對先進工藝的披露也越來越少。不過，先進工藝只是廣闊半導體市場的一部分，中芯國際在成熟工藝、特色工藝上仍有長足發展空間。

創業維艱

2000年4月，中芯國際在上海浦東正式成立。當年8月，中芯國際廠房開始在張江建設。

中芯國際創業前不久，正值美股科網股泡沫高峰期。2000年3月，費城半導體指數一度超過1300點。然而，自中芯國際成立的4月起，費城半導體指數一路向下，到2002年10月甚至跌至200點左右。作為全球半導體市場的風向標，費城半導體指數大幅下跌，無疑標志著半導體行業陷入低谷。

在國內產業配套稀缺，行業又處于低谷期之際，中芯國際逆勢而上，迅速建設多座晶圓工廠。2001年，中芯國際上海8英寸生產基地建設完成；2002年，中芯國際北京12英寸生產基地奠基，并實現0.18微米的全面技術認證和量產；2003年，中芯國際收購天津摩托羅拉晶圓廠并成立中芯天津。此間，中芯國際陸續實現0.35微米～0.13微米的全面技術認證與量產。

2004年，中芯國際首次實現盈利，并于港交所與紐交所上市。此時，中芯國際已經是國際晶圓代工市場不可忽視的力量。

取得成績的同時，專利訴訟也隨之而來。2003年12月，臺積電提起訴訟，稱中芯國際侵犯其若干專利。2005年1月，中芯國際與臺積電一度就此達成和解。

此后，中芯國際發展勢頭不減。2005年，臺積電試產65納米制程，2006年第四季度開始量產；中芯國際也于2007年掌握了65納米制程，并迅速布局45納米制程；2007年12月，中芯國際與IBM簽訂45納米Bulk COMS技術許可協定。

2006年8月，臺積電再度發起訴訟，理由是中芯國際違反和解協議。2009年，中芯國際與臺積電達成和解。但此后，創始人張汝京離職，隨后的“王楊之爭”讓中芯國際錯過發展機遇。

芯片的發展需要一代一代不斷積累。一步落后，難免步步落后。

崛起歷史能否重現？

梁孟松加入后，中芯國際追趕臺積電的進程迎來轉機。

2017年10月，梁孟松加入中芯國際。自此，中芯國際迎來工藝制程“跳代”式發展。比如越過22納米，從28納米直接進入14納米。2019年，中芯國際取得重大進展，實現14納米FinFET量產，邁入了FinFET時代。彼時，中芯國際進一步“跳代”，跳過10納米，直接進入8納米、7納米。此前，有行業人士在接受《每日經濟新聞》記者采訪時曾透露，中芯國際的N+1、N+2就相當于8納米、7納米。

然而好景不長，自2020年10月以來，中芯國際遭遇美國多輪所謂的“制裁”。為此，中芯國際戰略方向已從先進工藝制程轉向成熟工藝、特色工藝。公司陸續在北京、上海、深圳、天津興建12英寸晶圓工廠。這些工廠的工藝制程均對準28納米及以上，并不在美國所謂的“制裁”范圍內。

中芯國際登陸科創板時正是芯片行業高景氣時期。2020年7月，中芯國際登陸科創板，而自2020年下半年以來，半導體行業陷入“缺芯潮”。因此，盡管遭遇困難，中芯國際還是交出了多份靚麗的業績“答卷”。

不過，進入2022年，芯片行業供求關系逆轉，除了汽車電子等細分領域外，半導體行業普遍由“缺芯潮”轉入“砍單潮”，2022年下半年下行趨勢尤為明顯。在此背景下，中芯國際產能利用率逐漸下降。2022年一季度，其產能利用率尚且高達100.4%，二季度下降至97.1%，三季度進一步下降至92.1%。

一方面，產能利用率持續下降，另一方面，四大12英寸晶圓廠正在建設。是否有足夠大的市場來填補中芯國際待投產產能，尚需進一步觀察。

此前，中芯國際的崛起就是在行業低谷期逆勢擴張。2000年～2002年，費城半導體指數連續三年下跌，中芯國際逆勢投建工廠，異軍突起。如今，中芯國際在行業低谷期逆勢擴張產能的劇情能否重演，值得期待。

注：FinFET，Fin Field-Effect Transistor的簡稱，指鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管，可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

封面圖片來源：視覺中國-VCG111364173922