湖北：到2025年完成12英寸基礎硅光流片工藝開發 形成國際領先的硅光晶圓代工和生產制造能力

每經AI快訊，9月22日，湖北省政府發布關于印發加快“世界光谷”建設行動計劃的通知。計劃提出：搭建國際領先的硅光芯片創新平臺。支持武漢新芯、國家信息光電子創新中心、九峰山實驗室、江城實驗室等單位建設國內首個12英寸商用硅光芯片創新平臺，構建國內領先、國際一流的硅光芯片供應能力并實現硅光產品上量生產，同步加快硅基化合物異質集成能力應用，建立該領域世界領先的技術體系。2024年底前完成硅光工藝平臺通線和工藝設計套件（PDK）開發。到2025年，完成12英寸基礎硅光流片工藝開發，形成國際領先的硅光晶圓代工和生產制造能力。到2030年，打造12英寸硅基光電融合工藝線，建成全球前三的硅光芯片特色工藝線，器件性能達到國際領先，形成廣泛的光電子芯片加工能力。