每日經濟新聞 2025-09-23 19:58:09
每經AI快訊,9月23日,盛美上海在互動平臺表示,公司于7月28日宣布對其UltraCwb濕法清洗設備進行了重大升級。濕法刻蝕過程中質量傳遞效率的提高可防止副產物在晶圓微結構內積聚,從而避免二次沉積。這項技術在500層以上的3D NAND,3D DRAM,3D邏輯器件中有巨大的應用前景。9月8日,公司宣布推出首款KrF工藝前道涂膠顯影設備Ultra Lith KrF,旨在支持半導體前端制造。該系統的問世標志著盛美上海光刻產品系列的重要擴充,具有高產能、先進溫控技術以及實時工藝控制和監測功能。首臺設備系統已于2025年9月交付中國頭部邏輯晶圓廠客戶。在面板級設備方面,公司打造的FOPLP設備產品矩陣包括UltraECPap-p面板級電鍍設備、UltraCvac-p面板級負壓清洗設備、UltraCbev-p面板級邊緣刻蝕設備,助推AI芯片封裝從傳統的晶圓級封裝向更高密度、更大尺寸的面板級封裝轉型。
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